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    0.5μm CMOS

    0.5μm CMOS

    18 3 月, 2026

    0.5μm CMOS 硅栅工艺 工艺能力：采用0.5微米设计规则，双阱CMOS工艺，提供单层/双层多晶硅、单层/双层金属布线。支持高精度多晶硅电阻、高压LDMOS器件集成。适用产品线：适用于高性能运算放大器、模拟开关、电源管理芯片（LDO、DC-DC控制器）、电池管理芯片、传感器接口电路、显示驱动芯片等。 [...]