0.8μm CMOS 铝栅工艺 工艺能力:成熟的0.8微米铝栅CMOS工艺平台,工艺流程简洁、成本效益高且可靠性经过大量量产验证。适用产品线:适用于各类简单逻辑产品、定制化芯片等,层数少,开发费用较低,特别适合于定制化类的简单逻辑产品,该工艺在前期开发投入成本及芯片成本之间实现了良好的平衡。 标准 [...]
0.5μm CMOS 硅栅工艺 工艺能力:采用0.5微米设计规则,双阱CMOS工艺,提供单层/双层多晶硅、单层/双层金属布线。支持高精度多晶硅电阻、高压LDMOS器件集成。适用产品线:适用于高性能运算放大器、模拟开关、电源管理芯片(LDO、DC-DC控制器)、电池管理芯片、传感器接口电路、显示驱动芯片等。 [...]


