肖特基势垒二极管 (SBD) 工艺能力：提供多种势垒金属（如钛、钼、铬）工艺选项，实现正向压降与反向漏电流的优化匹配。电压覆盖 45V ~ 200V，支持不同外延层浓度与厚度的定制。 关键参数：极低的正向压降（VF @ IF 可低至0.3V）、纳秒级反向恢复时间（Trr <10ns）、低反向漏 [...]
沟槽MOS势垒肖特基 (TMBS) 工艺能力：采用沟槽MOS结构，利用电荷耦合效应降低漂移区电阻并屏蔽高电场，突破平面SBD的电压瓶颈。电压覆盖 45V ~ 650V，可提供不同沟槽深度与间距的设计。关键参数：极低的反向漏电流（较平面SBD降低一个数量级）、高浪涌电流能力（IFSM）、软恢复特性、开关速度 [...]
瞬态电压抑制二极管 (TVS) 工艺能力：提供成熟的深槽隔离（DTI）与浅槽隔离（STI）工艺，隔离深度可定制（1μm~40μm），有效降低器件漏电流与寄生电容。支持单/双向结构，击穿电压范围几V~几百V。关键参数：精确的击穿电压（VBR）控制（±5%）、极低钳位因子、快速响应时间（<1ps）、高浪 [...]
快恢复二极管 (FRD) 工艺能力：提供 200V ~ 1200V 全电压范围工艺平台。通过少子寿命控制技术（如铂掺杂、电子辐照），可精确调节反向恢复时间，提供标准、快速、超快速三档恢复特性。关键参数：软恢复因子、低正向压降、稳定且可调的反向恢复时间（35ns ~ 120ns）、高反向耐压。应用场景：电机驱 [...]
垂直双扩散金属氧化物半导体场效应晶体管 (VDMOS) 工艺能力：提供基于平面栅和沟槽栅技术的VDMOS工艺平台，电压覆盖 30V ~ 800V。优化了元胞结构、JFET区电阻和终端设计，实现导通电阻与击穿电压的最佳折中。关键参数：低导通电阻（RDS(on)）、高开关速度、低栅电荷（Qg）、优秀的抗雪崩能力 [...]
