工艺能力：提供基于平面栅和沟槽栅技术的VDMOS工艺平台，电压覆盖 30V ~ 800V。优化了元胞结构、JFET区电阻和终端设计，实现导通电阻与击穿电压的最佳折中。

关键参数：低导通电阻（RDS(on)）、高开关速度、低栅电荷（Qg）、优秀的抗雪崩能力（EAS）、宽安全工作区。

应用场景：开关电源（SMPS）、PWM电机驱动、逆变器、电子镇流器、汽车电子点火器、电源转换器。