瞬态电压抑制二极管 (TVS)
工艺能力：提供成熟的深槽隔离（DTI）与浅槽隔离（STI）工艺，隔离深度可定制（1μm~40μm），有效降低器件漏电流与寄生电容。支持单/双向结构，击穿电压范围几V~几百V。
关键参数：精确的击穿电压（VBR）控制（±5%）、极低钳位因子、快速响应时间（<1ps）、高浪涌能力（IPP可达数百安培）。
应用场景：通信接口防护（如RS485、USB、HDMI）、电源端口浪涌抑制、ESD防护、汽车抛负载保护（ISO 7637/16750）。
质量保证
正鑫半导体是聚焦特色工艺芯片领域的高新技术企业，核心布局模拟 IC、MOSFET、IGBT 等产品，为消费电子、工控、汽车、新能源等领域提供设计、制造、封测一站式芯片系统设计及代工方案。企业以虚拟 IDM 模式打造特色工艺芯片定制开发服务平台，秉持 “客户为先、合作共赢” 核心价值观，形成 “车载为基，四域并进” 业务格局，车载领域覆盖 90% 以上国内新能源终端客户，AI、工业控制、高端消费电子领域均实现头部客户深度合作，核心产品完成国产替代并成功出海欧洲。
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