沟槽MOS势垒肖特基 (TMBS)

工艺能力:采用沟槽MOS结构,利用电荷耦合效应降低漂移区电阻并屏蔽高电场,突破平面SBD的电压瓶颈。电压覆盖 45V ~ 650V,可提供不同沟槽深度与间距的设计。

关键参数:极低的反向漏电流(较平面SBD降低一个数量级)、高浪涌电流能力(IFSM)、软恢复特性、开关速度快。

应用场景:高频DC-DC转换器、服务器电源、汽车48V系统、高频整流电路。

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正鑫半导体是聚焦特色工艺芯片领域的高新技术企业,核心布局模拟 IC、MOSFET、IGBT 等产品,为消费电子、工控、汽车、新能源等领域提供设计、制造、封测一站式芯片系统设计及代工方案。企业以虚拟 IDM 模式打造特色工艺芯片定制开发服务平台,秉持 “客户为先、合作共赢” 核心价值观,形成 “车载为基,四域并进” 业务格局,车载领域覆盖 90% 以上国内新能源终端客户,AI、工业控制、高端消费电子领域均实现头部客户深度合作,核心产品完成国产替代并成功出海欧洲。

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