沟槽MOS势垒肖特基 (TMBS)
工艺能力:采用沟槽MOS结构,利用电荷耦合效应降低漂移区电阻并屏蔽高电场,突破平面SBD的电压瓶颈。电压覆盖 45V ~ 650V,可提供不同沟槽深度与间距的设计。
关键参数:极低的反向漏电流(较平面SBD降低一个数量级)、高浪涌电流能力(IFSM)、软恢复特性、开关速度快。
应用场景:高频DC-DC转换器、服务器电源、汽车48V系统、高频整流电路。
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