工艺能力：采用0.5微米设计规则，双阱CMOS工艺，提供单层/双层多晶硅、单层/双层金属布线。支持高精度多晶硅电阻、高压LDMOS器件集成。

适用产品线：适用于高性能运算放大器、模拟开关、电源管理芯片（LDO、DC-DC控制器）、电池管理芯片、传感器接口电路、显示驱动芯片等。